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J-GLOBAL ID：201402271038503060   整理番号：14A1484304

半導電性不足ペロブスカイトBaSnO_3-δの物理的キャラクタリゼーション

Physical characterization of the semiconducting deficient perovskite BaSnO_3-δ

著者 (3件)： HADJARAB B. ,  TRARI M. ,  KEBIR M.
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 29  ページ： 283-287  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空シリカアンプル中で製作した半導電性スズ酸化塩BaSnO_3-δは立方晶ペロブスカイト構造に結晶化する。帯磁率(2×10^-5emu mol^-1以下)は巡回電子によるものである。伝導率は活性化エネルギー3meVの指数則σ₀exp(-E_a/kT)と混合原子価Sn^2+/4+間をホッピングする電子に従う。可変領域ホッピングがln(σ)対T^-1の非線形挙動から予測された。高温では,伝導率は活性化エネルギー0.17eVの格子ポーラロンの熱活性化ホッピングに従う。プロットはBaSnO_3-δの酸化によって線形挙動から乖離する。完全に酸化された材料は大気中の578Kで元に戻る。熱電能の熱変動はFermiレベルでの有限状態密度を示唆する。半導電性特性を光-電気化学キャラクタリゼーションから詳細に説明した。アルカリ媒体におけるMott-Schottkyプロットは直線を示し,それから電子密度3.07×1021cm^-3,フラットバンドポテンシャル-0.375V_SCE,空間電荷領域2.3Åを決定した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *スズ酸塩 ,  電気的性質 ,  光電気化学 ,  ホッピング伝導 ,  *ペロブスカイト型結晶 ,  *キャラクタリゼーション ,  半導性 ,  立方晶系 ,  磁化率 ,  電子 ,  比率 ,  活性化エネルギー ,  ポーラロン ,  熱起電力 ,  電子密度 ,  電圧 ,  空乏層
準シソーラス用語： スズ酸バリウム ,  フラットバンド電圧 ,  可変領域ホッピング ,  空間電荷層 ,  巡回電子 ,  帯磁率 ,  伝導率 ,  熱電能 ,  半導電性

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導電性 ,  ペロブスカイト ,  物理 ,  キャラクタリゼーション