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J-GLOBAL ID：201402271336227840   整理番号：14A0218313

MB当たり1.39mm²のHKMG 28nm 1GHz 完全パイプライン型タイル可能1MB埋込みSRAM IP

A HKMG 28nm 1GHz Fully-Pipelined Tile-able 1MB Embedded SRAM IP with 1.39mm² per MB

著者 (7件)： KUO Ming-Zhang (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  TAKAHASHI Osamu (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  YANG Ping-Lin (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  LIN Cheng-Chung (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  WANG Min-Jer (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  WANG Ping-Wei (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN) ,  DHONG Sang-Hoo (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN)
資料名： Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference  (Proceedings of the IEEE Custom Integrated Circuits Conference)
巻： 2013 Vol.2  ページ： 817-820  発行年： 2013年 
JST資料番号： H0843A  ISSN： 0886-5930  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *SRAM ,  マクロセル ,  パイプライン処理 ,  埋込み【挿入】 ,  CMOS構造 ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： IP【集積回路】 ,  金属ゲート

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： パイプライン ,  タイル ,  埋込み ,  SRAM ,  IP