文献

J-GLOBAL ID：201402272665403221   整理番号：14A0083779

電荷およびスピン移動材料の制御した製作のための有機半導体におけるフェルミレベルエンジニアリング

Fermi level engineering in organic semiconductors for controlled manufacturing of charge and spin transfer materials

著者 (3件)： FRIEDRICH Rico (TU Bergakademie Freiberg, Freiberg, DEU) ,  KERSTING Berthold (Univ. Leipzig, Leipzig, DEU) ,  KORTUS Jens (TU Bergakademie Freiberg, Freiberg, DEU)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 88  号： 15  ページ： 155327.1-155327.6  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体スピントロニクス材料として金属フタロシアニン(MPcs)が注目されており,これらのMPcsのイオン化ポテンシャルおよび電子親和力を制御する化学修飾法が多数研究されている。本研究ではコバルトフタロシアニン(CoPc)を取り上げ,この化合物の水素原子を他の原子で置換することにより,そのイオン化ポテンシャルを調整するための研究を全電子無拘束密度汎関数(DFT)法により行った。DFT計算よりCoPc分子の1個の水素原子の内8個をメトキシ基で置換すると,そのイオン化ポテンシャルは5.7eVとなり,著しく低下することを示した。このメトキシ基置換したCoPcをドナー分子として,フッ素置換したF₁₆CoPcをアクセプタとした二量体分子では大きな電荷移動が起こることを示した。論文ではこのような化学置換によりMPcsのフェルミレベルをチューニングする技術の一般性について議論した。

シソーラス用語： *金属フタロシアニン ,  *Fermi準位 ,  密度汎関数法 ,  コバルト錯体 ,  フタロシアニン錯体 ,  マンガン錯体 ,  *イオン化ポテンシャル ,  *電子親和力 ,  電荷移動 ,  ドナー ,  アクセプタ ,  スピントロニクス ,  フッ素化 ,  メトキシ基
準シソーラス用語： メトキシル基 ,  *コバルトフタロシアニン

分類 (1件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電荷 ,  スピン移動 ,  製作 ,  有機半導体