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J-GLOBAL ID：201402272881415676   整理番号：14A0085766

Ag/Ti/Fe₃O₄/Ptデバイスにおける抵抗と磁化の電場誘導同時変化

Electric field induced simultaneous change of resistance and magnetization in an Ag/Ti/Fe₃O₄/Pt device

著者 (12件)： REN Shu-xia (Hebei Normal Univ., Shijiazhuang, CHN) ,  REN Shu-xia (Key Lab. Advanced Films of Hebei Province, Shijiazhuang, CHN) ,  REN Shu-xia (Shijiazhuang TieDao Univ., Shijiazhuang, CHN) ,  SONG Xu-tao (Hebei Normal Univ., Shijiazhuang, CHN) ,  SONG Xu-tao (Key Lab. Advanced Films of Hebei Province, Shijiazhuang, CHN) ,  SUN Guo-wei (Hebei Normal Univ., Shijiazhuang, CHN) ,  SUN Guo-wei (Key Lab. Advanced Films of Hebei Province, Shijiazhuang, CHN) ,  ZHAO Xu (Hebei Normal Univ., Shijiazhuang, CHN) ,  ZHAO Xu (Key Lab. Advanced Films of Hebei Province, Shijiazhuang, CHN) ,  YANG Hui-fang (Shijiazhuang TieDao Univ., Shijiazhuang, CHN) ,  CHEN Wei (Hebei Normal Univ., Shijiazhuang, CHN) ,  CHEN Wei (Key Lab. Advanced Films of Hebei Province, Shijiazhuang, CHN)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 1  号： 47  ページ： 7879-7882  発行年： 2013年12月21日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代の固体メモリーに関して幅広く検討が行われているが,そのなかで,電場により物質の磁気的と電気的特性の両方を同時に操作できるような材料が求められている。ここでは,Ag/Ti/Fe₃O₄/Pt構造を作製し,電場下でのその挙動を調べた。Fe₃O₄層は50~120nmの範囲であり,(111)優先配向させたものを磁気官能化層として用いた。これらのデバイスにおいて,セットおよびリセットプロセス中に電場により電気的性質と磁気的性質の両方が同時にマニピュレートできることが分った。この現象の機構については,Ptボトム電極付近でFe₃O₄とγ-Fe₃O₄のレドックス反応が起こり,それがこの現象に重要な役割を果しているのであろうと考察する。

シソーラス用語： *電場効果 ,  *酸化鉄 ,  優先配向 ,  *電気的性質 ,  *磁気的性質 ,  白金電極 ,  酸化還元反応 ,  電極 ,  X線回折 ,  磁気ヒステリシス ,  X線光電子分光法 ,  *薄膜 ,  走査電子顕微鏡 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： チタン電極 ,  銀電極

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ag ,  Ti ,  Pt ,  磁化 ,  電場 ,  誘導