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J-GLOBAL ID：201402272946932029   整理番号：13A1951596

SiO₂/Si基板上のグラフェンの固相成長を使ったグラフェン電界効果トランジスタの移動がない作製

Transfer-free fabrication of graphene field effect transistor arrays using solid-phase growth of graphene on a SiO₂/Si substrate

著者 (4件)： TAMAOKI Masato (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  IMAEDA Hideki (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  KISHIMOTO Shigeru (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN) ,  MIZUTANI Takashi (Dep. of Quantum Engineering, Nagoya Univ., Nagoya 464-8603, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 18  ページ： 183114-183114-3  発行年： 2013年10月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  炭素材 ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  *固相合成 ,  基板 ,  電流電圧特性 ,  キャリア移動度 ,  伝送特性 ,  ニッケル ,  金 ,  黒鉛化 ,  熱処理 ,  電気絶縁 ,  グラフェン ,  アモルファスカーボン
準シソーラス用語： *グラフェンFET ,  非晶質炭素 ,  グラファイト化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  Si基板 ,  グラフェン ,  固相成長 ,  電界効果トランジスタ ,  作製