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J-GLOBAL ID:201402273386454580   整理番号:14A0049167

高効率太陽電池の要求に合うCu(In,Ga)Se2薄膜のカリウム誘発表面修飾

Potassium-induced surface modification of Cu(In,Ga)Se2 thin films for high-efficiency solar cells
著者 (15件):
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巻: 12  号: 12  ページ: 1107-1111  発行年: 2013年12月 
JST資料番号: W1364A  ISSN: 1476-1122  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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硬質基板系に比べて低い柔軟性太陽電池(SC)の光-電力変換効率の向上を目的として,既報のポリイミド(PI)系の研究を基に,後蒸着処理によるNaの添加の前にCu(In,Ga)Se2(CIGS)層にKを添加することが明確に有益な役割を果たすことを実証した。Mo/CIGS/CdS/ZnO:Al構成のSCをPIフィルム表面に既報の方法で作製した。飛行時間型SIMSで各元素の深さプロフィルを調べ,ICP-MS分析でK含有量を測定し,さらに緩衝層蒸着前後の表面層近傍の組成を調べた。電流密度-電圧特性などSCの性能を評価し,外部量子効率を測定した。CIGSでのNaとKの役割は,特にCIGSの成長後に供給する場合には,区別されるべきであることを示した。この新しい処理によって,プラスチック表面の柔軟性CIGSの太陽電池の最高効率を20.4%まで向上させることができた。
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  半導体薄膜 

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