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J-GLOBAL ID：201402273411526710   整理番号：14A0511813

ギガヘルツマルチトランジスタグラフェン集積回路

Gigahertz Multi-Transistor Graphene Integrated Circuits

著者 (2件)： SORDAN Roman (Politecnico di Milano, Como, ITA) ,  FERRARI Andrea C. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2013  ページ： 1-7  発行年： 2013年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電圧利得が1を超えるグラフェン回路の開発は,技術的に関連がある高周波数において動作する現実的な多段階集積回路の実現を可能にする。その重要な一例は,CVDグラフェン上に集積したリング発振器である。この発振器は,大気中で1GHzを越える周波数で動作し,ディジタル及びアナログエレクトロニクスにおける広い範囲の応用に用いられる。GHz周波数で動作するマルチトランジスタグラフェン集積回路の開発は,高い動作速度が,消費電力,および回路の複雑さに対してトレードオフされる応用への道を開くことができる。グラフェンおよび層状材料の組み合わせに基づく新しい垂直及び平面デバイスは,将来のデバイスの範囲および性能を拡げることができる。

シソーラス用語： *集積回路 ,  *トランジスタ ,  *炭素材 ,  グラファイト ,  リング発振器 ,  等価回路 ,  利得 ,  化学蒸着 ,  消費電力 ,  トレードオフ ,  積層材料 ,  グラフェン
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  層状材料

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (1件)： 集積回路