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J-GLOBAL ID：201402274705367390   整理番号：14A1397983

電荷ベース容量測定を用いた変動性評価用のテスト構造の開発

Development of Test Structure for Variability Evaluation using Charge-Based Capacitance Measurement

著者 (3件)： TSUJI Katsuhiro (Hiroshima City Univ.) ,  TERADA Kazuo (Hiroshima City Univ.) ,  KIKUCHI Ryota (Hiroshima City Univ.)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E97.C  号： 11  ページ： 1117-1123 (J-STAGE)  発行年： 2014年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実際のサイズの金属-酸化物-半導体型電界効果トランジスタ(MOSFET)の容量-電圧(C-V)曲線から閾値電圧変動性を評価するために,電荷ベース容量測定(CBCM)法のためのテスト構造を開発した。このテスト構造を用いて,色々のチャネル寸法のMOSFETに対して累積から反転までのC-V曲線を測定する。寄生容量成分を含むと思われる本C-V曲線から,MOSFET電極間の固有容量成分を抽出する。固有C-V曲線を用いてMOSFETの閾値電圧変動を抽出する。MOSFET C-V曲線での導出は電流測定雑音の影響を受けないため,ここで開発したテスト構造はMOSFET変動性を評価するのに非常に有用であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *容量電圧特性 ,  *可変性 ,  *テスト構造 ,  電圧 ,  電圧変動 ,  *漂遊容量 ,  *電気測定 ,  *電荷 ,  電流測定 ,  等価回路 ,  サイズ効果
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  電荷ベース容量測定 ,  nMOSFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (19件)：

• [1] A. R. Brown and A. Asenov, “Capacitance fluctuations in bulk MOSFETs due to random discrete dopants,” J. Comput. Electron., vol.7, no.3, pp.115–118, Sept. 2008.
• [2] A. Asenov, S. Kaya, and A. R. Brown, “Intrinsic parameter fluctuations in decananometer MOSFETs introduced by gate line edge roughness,” IEEE Trans. Electron Devices, vol.50, no.5, pp.1254–1260, May 2003.
• [3] T. Tsunomura, A. Nishida, F. Yano, A. T. Putra, K. Takeuchi, S. Inaba, S. Kamohara, K. Terada, T. Hiramoto, and T. Mogami, “Analysis of 5s Vth fluctuatiion in 65nm-MOSFETs using Takeuchi Plot,” 2008 Symp. on VLSI Tech. Dig. Tech. Pap., Honolulu, pp.156–157, 2008.
• [4] T. Tsunomura, A. Kumar, T. Mizutani, C. Lee, A. Nishida, K. Takeuchi, S. Inaba, S. Kamohara, K. Terada, T. Hiramoto, and T. Mogami, “Analysis and prospect of local variability of drain current in scaled MOSFETs by a new decomposition method,” 2010 Symp. on VLSI Tech. Dig. Tech. Pap., Honolulu, pp.97–98, 2010.
• [5] T. Tsunomura, A. Kumar, T. Mizutani, A. Nishida, K. Takeuchi, S. Inaba, S. Kamohara, K. Terada, T. Hiramoto, and T. Mogami, “High-temperature properties of drain current variability in scaled field-effect transistors analyzed by decomposition method,” Jpn. J. Appl. Phys., vol.50, no.4S, pp.04DC08, Apr. 2011.

タイトルに関連する用語 (5件)： 電荷 ,  変動性 ,  評価 ,  テスト構造 ,  開発