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J-GLOBAL ID：201402275333983312   整理番号：14A0057602

4H-SiCエピ層表面の局在ファセット化の解析とモデル化

Analysis and modeling of localized faceting on 4H-SiC epilayer surfaces

著者 (10件)： DONG Lin (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  SUN Guosheng (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  SUN Guosheng (Tianyu Semiconductor Technol. Co., Ltd., Dongguan, CHN) ,  ZHENG Liu (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Xingfang (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Feng (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YAN Guoguo (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  TIAN Lixin (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LI Xiguang (Tianyu Semiconductor Technol. Co., Ltd., Dongguan, CHN) ,  WANG Zhanguo (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 210  号： 11  ページ： 2503-2509  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体表面のマクロ構造は,結晶構造の研究分野では重要な課題の1つである。基板を低指数面から低角度で切り出すステップ制御エピタクシーは,よく利用される結晶面成長技術である。ステップ制御エピタクシーを行う際の基板の誤配向は,原子ステップを高密度に生じ,ステップフロー成長を容易にし,同時に起こる表面ファセット化によりステップのバンチングが現れる。成長条件が適切であれば,ステップのバンチングは均一な周期構造になり,ナノ構造素子の作製に有用となる。しかしながら,ステップのバンチングによって空間的なうねりが生じると,表面粗さが増大する。したがって,表面のファセット化の研究は,基礎的にも応用的にも重要である。本研究では,4H-SiCエピ層表面に現れる局所的なファセット化を原子間力顕微鏡を使って調べた。局在ファセット化から生じる孤立したマクロステップの構造を解析し,ついで,観測された表面ファセット化を説明するモデルを提案した。さらに,モデルを一般化し,表面自由エネルギーを通じて,局在したファセット化が周期的な表面ファセット化に至ることを指摘した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *層 ,  *ファセット ,  周期構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  表面ステップ ,  表面エネルギー ,  配向
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *エピ層 ,  表面自由エネルギー ,  ミスオリエンテーション

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  エピ層 ,  ファセット ,  解析 ,  モデル化