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J-GLOBAL ID:201402277831264776   整理番号:14A1484382

シリコン太陽電池のゲッタリング効率に及ぼす熱処理の影響

The impact of thermal treatment on gettering efficiency in silicon solar cell
著者 (3件):
資料名:
巻: 30  ページ: 451-455  発行年: 2015年02月 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,多孔質アルミニウム/シリコン(Al/PS)によって開発された表面を持つ結晶シリコン(c-Si)に及ぼす熱処理の影響を理解し,それが太陽電池性能に及ぼす影響を評価する研究について述べる。実際には,PS/Alを持つシリコン表面の熱処理は,c-Si太陽電池の構造的及び電気的調整及び性能向上の有効な手段である。高温及び低温プロセスの両方から利益を得るために,二段階アニーリングによって新しいプロセスを達成した。従来のゲッタと比較して,新しいゲッタの利点を種々のデバイスにおいて実証した。標準van der Pauwを用いて抵抗率を推定し,LBIC測定を用いて拡散長を決定した。多孔質層を70μmの深さまで除去した時,結晶シリコンの抵抗率は減少した。その結果,I-V特性の改善及び少数キャリア寿命の向上を見出した。この簡単な方法は,c-Si系太陽電池の電荷キャリアの収集及び電気的特性を改善することにつながることが分かった。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (3件):
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