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J-GLOBAL ID：201402278106587701   整理番号：14A0172616

エピタキシャルNiO薄膜の結晶学的特性とp型からn型への転移

Crystallographic Characteristics and p-Type to n-Type Transition in Epitaxial NiO Thin Film

著者 (3件)： MOLAEI R. (NC State Univ., North Carolina, USA) ,  BAYATI R. (Intel Corp., California, USA) ,  NARAYAN J. (NC State Univ., North Carolina, USA)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 13  号： 12  ページ： 5459-5465  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長圧を変える制御法によって面外配向を調整して立方イットリア-安定化ジルコニア(c-YSZ)/Si(001)プラットホーム上に酸化ニッケル(NiO)の薄膜をエピタキシャル成長させることができた。X線回折によって決定したこの低酸素圧下のヘテロ構造のNiO/c-YSZ界面を交差する結晶配列は{111}_NiO||{100}_c-YSZと<110>_NiO||<100>_c-YSZであり,高酸素圧下のヘテロ構造の配列は{100}_NiO||{100}_c-YSZと<100>_NiO||<100>_c-YSZになった。これらの結果は表面終端の変化とc-YSZ{100}面上の原子配列に起因している。さらに,NiOエピ層の導電率が低圧下で成長したn型の膜から高圧下で析出したp型の膜へ変化することがわかった。圧力が上昇すると電気抵抗が増大して極大値になる。NiOエピ層の導電率と微細構造の欠陥や化学量論の相互関係を証明した。

シソーラス用語： 立方晶系 ,  *セラミック ,  *酸化イットリウム ,  *酸化ジルコニウム ,  基板 ,  *酸化ニッケル ,  エピタクシー ,  酸素 ,  分圧 ,  圧力効果 ,  X線回折 ,  格子構造 ,  *電気伝導率 ,  N型半導体 ,  低圧 ,  P型半導体 ,  高圧 ,  電気抵抗率 ,  *格子欠陥 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： *YSZ【セラミック】 ,  ケツゴウエネルギー

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  結晶学