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J-GLOBAL ID：201402278314462726   整理番号：13A1951730

メニスカス力による単結晶シリコン層の低温層転写の応用によるポリエチレンテレフタレート基板上での金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの作製

Fabricating metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on a polyethylene terephthalate substrate by applying low-temperature layer transfer of a single-crystalline silicon layer by meniscus force

著者 (4件)： SAKAIKE Kohei (Dep. of Semiconductor Electronics and Integration Sci., Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima ...) ,  AKAZAWA Muneki (Dep. of Semiconductor Electronics and Integration Sci., Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima ...) ,  NAKAMURA Shogo (Dep. of Semiconductor Electronics and Integration Sci., Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima ...) ,  HIGASHI Seiichiro (Dep. of Semiconductor Electronics and Integration Sci., Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 103  号： 23  ページ： 233510-233510-4  発行年： 2013年12月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *単結晶 ,  *転写 ,  *力 ,  *ポリエチレンテレフタレート ,  基板 ,  低温
準シソーラス用語： *nチャネルMOSFET ,  *シリコン ,  *メニスカス力 ,  PET【重合体】

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： メニスカス ,  単結晶シリコン ,  低温 ,  転写 ,  応用 ,  ポリエチレンテレフタレート ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  作製