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J-GLOBAL ID：201402278593845850   整理番号：14A1281455

Pr_0.6Sr_0.4MnO₃マンガナイトでの構造的,磁気的,磁気抵抗特性の空孔濃度依存性

A-site-deficiency-dependent structural, magnetic and magnetoresistance properties in the Pr_0.6Sr_0.4MnO₃ manganites

著者 (5件)： ELLEUCH F. (Lab. de Physique Appliquee, Fac. des Sciences, Univ. de Sfax, BP 1171, 3000 Sfax, Tunisia) ,  TRIKI M. (Lab. de Physique Appliquee, Fac. des Sciences, Univ. de Sfax, BP 1171, 3000 Sfax, Tunisia) ,  BEKRI M. (Physics Dep., Rabigh Coll. of Sci. and Art, King Abdulaziz Univ., P.O. Box 344, Rabigh 21911, Saudi Arabia) ,  DHAHRI E. (Lab. de Physique Appliquee, Fac. des Sciences, Univ. de Sfax, BP 1171, 3000 Sfax, Tunisia) ,  HLIL E.k. (Inst. Neel, CNRS et Univ. Joseph Fourier, BP 166, 38042 Grenoble, FRA)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 620  ページ： 249-255  発行年： 2015年01月25日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイトマンガナイト酸化物,Pr_0.6Sr_0.4MnO₃,Pr_0.6Sr_0.3□_0.1MnO₃,Pr_0.5Sr_0.4□_0.1MnO₃の構造,磁性,磁気抵抗を調べた。X線回折(XRD)データのRietveld解析の結果,すべての調査試料は斜方晶で空間群はPbnmであった。ストロンチウム空孔によって単位胞の体積が増加する。全ての合成試料で常磁性(PM)から強磁性(FM)への転移が認められた。Curi温度はストロンチウム欠損試料では251K,化学量論組成試料では273K,プラセオジウム欠損試料では275Kであった。組成欠損の二つの試料では温度が低下すると半導体-金属転移を示した。0~5Tの磁場を印加すると電気抵抗率は減少し,半導体-金属転移温度は上昇する。ストロンチウム欠損試料は5Tの磁場下266Kで約50%の磁気抵抗値を示し,236K以下では一定値となる。プラセオジウム欠損試料では温度低下とともに磁気抵抗は増加する。これは低磁場磁気抵抗(LFMR)挙動の証拠である。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マンガン化合物 ,  *酸素酸塩 ,  プラセオジム化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  *空格子点 ,  Rietveld法 ,  斜方晶系 ,  *磁気転移 ,  強磁性 ,  常磁性 ,  Curie温度 ,  金属-半導体転移 ,  外部磁場 ,  電気抵抗率 ,  磁気抵抗 ,  弱磁場
準シソーラス用語： *亜マンガン酸塩 ,  印加磁場 ,  *強磁性-常磁性転移

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： マンガナイト ,  磁気 ,  抵抗特性 ,  空孔 ,  濃度依存性