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J-GLOBAL ID:201402279308934507   整理番号:14A1484269

光電気化学電池に使うTiO2とSiCに基づくナノ構造薄膜:材料特性,合成,そして最近の応用についてのレビュー

Nanostructured thin films based on TiO2 and/or SiC for use in photoelectrochemical cells: A review of the material characteristics, synthesis and recent applications
著者 (10件):
資料名:
巻: 29  ページ: 56-68  発行年: 2015年01月 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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太陽エネルギーハーベスティング研究では,金属酸化物とシリコンベースの化合物に分類される半導体の光電気化学(PEC)特性研究への関心が高まっている。動機はこのような材料がPEC電池の光電極としての使用に成功していることである。ワイドバンドギャップ材料が特に注目されている。本レビューは材料科学の観点から二つのワイドバンドギャップ半導体材料に関する最近の文献を検討する。一つの材料は二酸化チタン(TiO2)であり,あと一つはシリコンベース化合物であるシリコンカーバイド(SiC)である。PECに応用するためのTiO2とSiCの薄膜に重点を置いた。材料特性,合成法,そして最近の光触媒応用を示した。最後に,TiO2とSiCのヘテロ接合から開発されたPECデバイス効率向上の興味ある効果を検討した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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固体デバイス材料  ,  電池一般 

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