文献

J-GLOBAL ID：201402279341097173   整理番号：13A1956848

SiCパワーデバイス用イオン注入装置IMPHEATの開発

著者 (9件)： 飛川和紀 (日新イオン機器) ,  塩尻史郎 (日新イオン機器) ,  ZHAO Weijiang (日新イオン機器) ,  小林友昭 (日新イオン機器) ,  白川浩 (日新イオン機器) ,  新粥竜也 (日新イオン機器) ,  但吉正英 (日新イオン機器) ,  井上真輔 (日新イオン機器) ,  酒井滋樹 (日新イオン機器)
資料名： 日新電機技報  (Nissin Electric Review)
巻： 58  号： 2  ページ： 36-40  発行年： 2013年10月23日 
JST資料番号： S0817B  ISSN： 0549-5377  CODEN： NIDGA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCパワーデバイスは高耐圧,低損失であり熱伝導性も高いため,Siデバイスの限界を超える次世代のパワーデバイスとして自動車,電力,家電市場等から本格的量産が期待されている。SiCウェーハにイオン注入を行う場合,注入により発生する結晶欠陥がアニール時に解消されにくいという問題があるが,ウェーハを高温に加熱しながらイオン注入を行う事で欠陥の発生を抑える事が可能である。当社では2009年にSiCウェーハを高温に保ち注入を実施できる研究用イオン注入装置IMPHEATをリリースしたが,今回6インチSiCウェーハの連続処理が可能なIMPHEATの量産用装置を開発した。(著者抄録)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  *イオン注入 ,  温度依存性 ,  *格子欠陥 ,  *照射損傷 ,  加熱 ,  *ウエハ【IC】
準シソーラス用語： *パワーデバイス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• T.Igo et al., Proceedings of IIT2008,p.388(2008)
• M.Miyamoto et al., Proceedings of IIT2008,p.384(2008)
• S.Umisedo et al, AIP Conference 1066,Proceedings of IIT2008,p.296 (2008)
• K.Tobikawa et al., IIT2012, AIP Conf. Proc. 1496, 332 (2012)
• M.Tanjo et al.,学振結晶加工と評価技術第145委員会 第133回,研究会最新イオン注入装置と新材料への応用(2013)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiCパワーデバイス ,  イオン注入装置 ,  開発