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J-GLOBAL ID：201402279538036974   整理番号：13A1909031

Nb基板上のホウ素ドープダイヤモンド膜の調整,キャラクタリゼーションおよび電気化学的性質

Preparation, characterization and electrochemical properties of boron-doped diamond films on Nb substrates

著者 (6件)： Yu Zhiming (School of Materials Sci. and Engineering, Central South Univ. State Key Lab. of Powder Metallurgy, Changsha) ,  Wang Jian (School of Materials Sci. and Engineering, Central South Univ., Changsha) ,  Wei Qiuping (School of Materials Sci. and Engineering, Central South Univ. State Key Lab. of Powder Metallurgy, Changsha) ,  Meng Lingcong (School of Materials Sci. and Engineering, Central South Univ., Changsha) ,  Hao Shimeng (School of Materials Sci. and Engineering, Central South Univ., Changsha) ,  Long Fen (School of Materials Sci. and Engineering, Central South Univ., Changsha)
資料名： Transactions of Nonferrous Metals Society of China  (Transactions of Nonferrous Metals Society of China)
巻： 23  号： 5  ページ： 1334-1341  発行年： 2013年 
JST資料番号： W0396A  ISSN： 1003-6326  CODEN： TNMCEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一連のホウ素ドープ多結晶ダイヤモンド膜をNb基板上のホットフィラメント(HF)化学蒸着により調整した。各蒸着試料の膜形態,成長速度,化学結合状態,相組成および電気化学的性質に対する反応ガスのB/C比の影響を走査電子顕微鏡法,Ramanスペクトル,X線回折,微小硬さ押込,および電気化学的分析により調べた。その結果,ダイヤモンドの平均粒径と成長速度がB/C比の増加とともに減少したことを示した。このダイヤモンド膜はVickers微小硬さ試験(9.8N荷重)下で優れた接着力を示した。2%B/C比の試料はH_2SO_4溶液とKFe(CN)_6ドックス系中で他のドーピングと比較して広い電位窓と低いバックグラウンド電流および高速レドックス反応速度をもっていた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *ダイヤモンド ,  *薄膜 ,  *電気化学的挙動 ,  *ホウ素 ,  ニオブ ,  成長速度 ,  化学結合 ,  相組成 ,  走査電子顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  X線回折 ,  押込 ,  微小硬さ ,  付着力 ,  酸化還元反応 ,  ドーピング
準シソーラス用語： Vickers硬度 ,  *ダイヤモンド膜 ,  ホットフィラメントCVD ,  多結晶ダイヤモンド ,  *電気化学的性質 ,  反応ガス ,  平均粒径

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Nb ,  ホウ素ドープダイヤモンド ,  キャラクタリゼーション ,  電気化学的性質