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J-GLOBAL ID：201402280390554340   整理番号：14A0177647

Ge(001)上の燐分子: 高密度でのゲルマニウムの制御したnドーピングの遊び場

Phosphorus Molecules on Ge(001): A Playground for Controlled n-Doping of Germanium at High Densities

著者 (5件)： MATTONI Giordano (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  KLESSE Wolfgang M. (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  CAPELLINI Giovanni (Universita degli Studi Roma Tre, Roma, ITA) ,  SIMMONS Michelle Yvonne (Univ. New South Wales, NSW, AUS) ,  SCAPPUCCI Giordano (Univ. New South Wales, NSW, AUS)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 7  号： 12  ページ： 11310-11316  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱蒸着の際にGaP固体源から得た燐分子(P₂)からのGeのドーピング過程を,走査型トンネル顕微鏡(STM)法と磁気輸送により調べた。燐分子はN型Geドーパントの代替である。応用の観点から,毒性の高いホスフィンガスに比べて,GaP固体源は特異な取扱手順が不要であり非常に便利である。また,これ迄の研究から,二次元ドープ層の電気特性を有するSiのδドーピング用のP₂の実行可能性が実証されている。密度に依存するドーピング過程を原子レベルで分解し,高いP被覆率でのドーパント不活性化の起源を明らかにした。

シソーラス用語： *分子 ,  *リン ,  ゲルマニウム ,  *δドーピング ,  *N型半導体 ,  半導体材料 ,  電子顕微鏡観察 ,  輸送現象 ,  ドーパント
準シソーラス用語： 磁気輸送 ,  *燐分子

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ge ,  燐 ,  分子 ,  高密度 ,  ゲルマニウム ,  ドーピング ,  遊び場