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J-GLOBAL ID：201402280650432872   整理番号：14A0035107

PLD法により製造したBiFeO_3膜の特性に及ぼす種々の配向の影響

The effect of different orientations on the properties of the BiFeO_3 films prepared by PLD method

著者 (1件)： Huang Yanqin (Dep. of Chemistry and Chemical Engineering,Xinxiang Univ., Xinxiang)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 44  号： 13  ページ： 1932-1935  発行年： 2013年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 純相BiFeO_3ターゲットを,放電プラズマ焼成(SPS)法により製造した。優先配向と高い結晶化BiFeO_3膜を,パルスレーザ堆積(PLD)法で製造した。上の最適プロセスで,種々のエピタキシャル歪を持つ,BiFeO_3(100)/LaNiO_3(100)/Si(100),BiFeO_3(111)/LaNiO_3(111)/SrTiO_3(111),BiFeO_3(110)/Pt/TiO_2/SiO_2/Si,及び,BiFeO_3(110)LaNiO_3(110)/Pt/TiO_2/SiO_2/Siの薄膜を製造した。BiFeO_3膜の構造を,XRDとSEMを用いて研究した。X線回折結果は,導電層上のBiFeO_3薄膜が,基質上に,エピタキシャル的に沈積し,それらは,同じくらいの高度な配向がある事を示している。SEM解析は,膜の結晶粒が円柱状モルフォロジーであり滑らかな事を,高密度表面と,非常に均質な粒子分布である事を明らかにした事を示す。結晶粒界と粒子サイズを,又,明確に観察した。BiFeO_3膜の,強誘電と強磁性特性を研究し,結果は,エピタキシャルBiFeO_3(111)膜が,最適特性を持つ事を示している。BiFeO_3(111)膜の強誘電の残留分極は,30.3μC/cm2であり,漏れ電流は,1.0×10(-3)A/cm2であり,飽和磁化は20.0kA/mであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： レーザ蒸着 ,  *ビスマス化合物 ,  *フェライト ,  *鉄化合物 ,  *膜 ,  放電焼結 ,  飽和磁化 ,  分布 ,  結晶粒界 ,  粒度 ,  パルスレーザ蒸着 ,  放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： PLD法 ,  *鉄酸ビスマス ,  SPS【焼結】 ,  粒子分布 ,  粒子サイズ

分類 (1件)： 化学一般その他  (CA01060X)

タイトルに関連する用語 (2件)： PLD法 ,  配向