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J-GLOBAL ID:201402280697003511   整理番号:14A0218492

ケイ素基板上のTiO2導波路を用いる非熱導波路設計における熱応力の役割

Role of Thermal Stress in Athermal Waveguide Design Using TiO2 Waveguides on a Silicon Substrate
著者 (4件):
資料名:
巻: 2013  ページ: 219-220  発行年: 2013年 
JST資料番号: T0931A  ISSN: 1092-8081  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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熱安定性は実際の素子で非常に重要である。最近TiO2が非熱導波用の高分子代替物質としてCMOS適合物質として示唆された。これは,ー(1-6.5)×10-4K-1の強い負の熱光学係数(MTOC)(1/n・dn/dT)による。そこでTiO2をコアとするリング共振器を作製した。プラズマ支援の蒸着SiO2によりクラッドされた埋め込みTiO2導波路の熱光学係数(WTOC)は,約10-6K-1であった。従って熱-応力-光学(TSO)効果が導波路の熱光学係数に大きく影響し,負の熱光学係数の材料を用いても導波路の熱光学係数が十分小さくならないことを示した。ケイ素基板上のSiO2被覆にTiO2をスパッタ蒸着させ,Si3N4をウエハ両側に低圧化学蒸着させた。SiO2を300°Cで蒸着後,リソグラフィーにより埋め込み導波路とリング共振器を作製した。共振シフトは-2.9pm/Kであった。理論解析によりTSO効果の重要性を示した。
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