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J-GLOBAL ID：201402280882254849   整理番号：14A0224318

RFカーボンナノチューブ電界効果トランジスタに対する半経験的大信号コンパクトモデル

A Semi-Empirical Large-Signal Compact Model for RF Carbon Nanotube Field-Effect Transistors

著者 (6件)： SCHROTER M. (TU Dresden, Dresden, DEU) ,  SCHROTER M. (UC San Diego, La Jolla, USA) ,  HAFERLACH M. (RFNano Corp., CA) ,  SAKALAS P. (TU Dresden, Dresden, DEU) ,  SAKALAS P. (FRL Semic. Ohys. Inst. of Center of Physical Sc. and Technol., Vilnius, LTU) ,  CLAUS M. (TU Dresden, Dresden, DEU)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2013 Vol.2  ページ： 1222-1225  発行年： 2013年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ(CNT)電界効果トランジスタ(FET)に対するコンパクトモデルを報告した。RFアナログ回路設計に必要な要素を取り入れている。半導電性チューブの電流と電荷は半経験的に記述しているが,チャネル寸法,チューブ直径,チューブ密度などの構造パラメータに関してはそれぞれに対応するモデルパラメータを採用している。また,金属性チューブ,接触抵抗,寄生キャパシタンス,自己加熱及びヒステリシスの効果を含んでいる。単一及びマルチチューブ・マルチフィンガRF CNTFETに対する実験データとの比較で明らかになったように,Landauer方程式の閉形式解に基づく既存モデルよりも,全バイアス範囲にわたって正確な小信号特性を与える。パルスDCとRF測定に基づく,モデルの実験検証を示した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *カーボンナノチューブ ,  モデル ,  回路設計 ,  半経験的方法 ,  パラメータ
準シソーラス用語： アナログ回路設計 ,  *コンパクトモデル ,  モデルパラメータ ,  大信号モデル ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： RF ,  カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  経験 ,  大信号 ,  コンパクトモデル