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J-GLOBAL ID：201402285823037100   整理番号：14A1099806

InGaAs量子ドットと量子井戸の結合スピン状態に対する電界印加効果

著者 (7件)： 高山純一 (北大 大学院) ,  木場隆之 (北大 大学院) ,  山村隆文 (北大 大学院) ,  野村譲 (北大 大学院) ,  AGUS Subagyo (北大 大学院) ,  末岡和久 (北大 大学院) ,  村山明宏 (北大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.19A-A26-8  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子ドット ,  *量子井戸 ,  *電場効果 ,  トンネル効果 ,  注入 ,  *光ルミネセンス ,  *円偏光 ,  量子閉込め ,  自己組織化 ,  電子系 ,  時間分解分光法 ,  スピン分極 ,  赤外発光スペクトル ,  二次元電子系
準シソーラス用語： *スピン結合 ,  スピン注入

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaAs ,  量子ドット ,  量子井戸 ,  スピン状態 ,  電界印加