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J-GLOBAL ID：201402286021390413   整理番号：14A0567132

カスコード構造の600V GaN HEMTの評価と適用

Evaluation and Application of 600V GaN HEMT in Cascode Structure

著者 (4件)： HUANG Xiucheng (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  LIU Zhengyang (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  LI Qiang (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA) ,  LEE Fred C. (Virginia Polytechnic Inst. and State Univ., VA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 29  号： 5  ページ： 2453-2461  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年,GaN HEMTが高周波,高電力密度電力変換用として期待されている。本稿では,カスコード構造の600V GaN HEMTの静的および動的特性を評価した。ハードスイッチングとソフトスイッチング条件で降圧形コンバータに基づくカスコード構造のGaN HEMTの評価を行った。実験の結果,カスコード構造のGaN HEMTはSi MOSFETより優れているが,パッケージやレイアウトによる寄生インダクタやキャパシタのため,高周波動作においてソフトスイッチングが必要であることが分かった。このデバイスを1MHz,300W,400V/12V LLCコンバータに適用した結果,最新のSi MOSFETより優れた性能であることが検証できた。

シソーラス用語： *縦続接続 ,  *HEMT ,  *窒化ガリウム ,  エネルギー密度 ,  電力 ,  電力変換 ,  スイッチング ,  ソフトスイッチング ,  DC-DCコンバータ ,  インダクタンス ,  ハードスイッチング ,  寄生インダクタンス
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  *カスコード ,  降圧形コンバータ ,  電力密度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： カス ,  GaN ,  HEMT ,  評価