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J-GLOBAL ID：201402286301849870   整理番号：14A1379320

非中心対称超伝導体LaPdSi₃及び参照化合物LaPdGe₃の電子構造

Electronic structure of non-centrosymmetric superconductor LaPdSi₃ and its reference compound LaPdGe₃

著者 (2件)： WINIARSKI M.j. ,  SAMSEL-CZEKALA M.
資料名： Intermetallics  (Intermetallics)
巻： 56  ページ： 44-47  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W0672A  ISSN： 0966-9795  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度関数理論内のフルポテンシャル局所軌道法を適用して,反転対称のない超伝導体LaPdSi₃および参照LaPdGe₃の電子構造を計算した。調査は,Fermi準位での状態密度の解析の以前の実験熱容量データとの比較,及びここで検討した両化合物に類似しているバンド構造とFermi面(FSs)に及ぼす反対称性スピン軌道結合の影響に焦点を合せた。これらのFSsシートは4つのバンドに由来し,ホールのような特性を持つが,超伝導性LaPdSi₃だけが明白なネスティング特性を示した。これは,後者の系における比較的強い電子-フォノン結合と非超伝導性LaPdGe₃においてそれが欠如していることから説明できる。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 高温超伝導体 ,  *超伝導体 ,  *ケイ化物 ,  ランタン化合物 ,  パラジウム化合物 ,  ゲルマニウム化合物 ,  *電子構造 ,  密度汎関数法 ,  バンド構造 ,  対称性 ,  結晶構造 ,  Fermi準位 ,  状態密度 ,  Fermi面 ,  スピン-軌道相互作用 ,  電子-フォノン相互作用 ,  金属間化合物 ,  超伝導
準シソーラス用語： 密度関数理論 ,  非中心対称性 ,  Fermi面ネスティング ,  スピン・軌道結合 ,  電子-フォノン結合 ,  超伝導特性

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 対称 ,  超伝導体 ,  参照 ,  電子構造