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J-GLOBAL ID：201402287395966331   整理番号：14A0486013

実用的なマイクロ・ナノシリコンウォールの作製法の開発

Development of Practical Technology for Si Micro/nano Wall Fabrication

著者 (2件)： 本橋光也 (東京電機大 工) ,  中路義久 (東京電機大 工)
資料名： 東京電機大学総合研究所年報  (Annual Report. Research Institute for Science and Technology, Tokyo Denki University)
号： 32  ページ： 203-208  発行年： 2013年07月15日 
JST資料番号： L0877A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フッ化水素酸を用いた陽極酸化法と電子線照射とを組合わせたマイクロ・ナノシリコンウォール作製法を開発した。本文では,電気分解前のSiウエハ表面に電子線加工処理を行うことで電気分解後に基板上の特定場所にウォール状Si構造体を作製することを目的に,電気分解前に照射する電子線の密度・照射時間および電気分解時間が作製Siウォール形状に与える影響を検討する。また,このときのSiウォール形成機構も検討する。その結果,ウォール形状制御は電子線照射領域の形状を変えることで実現でき,構造体の連続性,高さおよび幅を制御するときには陽極酸化時間が重要な条件であることが分かった。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  *微細構造 ,  *壁 ,  *電子照射 ,  露光 ,  フッ化水素塩 ,  *アノード酸化 ,  形状制御
準シソーラス用語： ナノウォール

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 作製法 ,  開発