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J-GLOBAL ID：201402287572352918   整理番号：14A0957156

シリコンウエハ全面にわたる結晶異方性ウェットエッチング加工での表面加工形状の均一性の向上

Improvement of Shape Homogeneity in the Surface Microstructures Fabricated by Anisotropic Etching on 4-inch Silicon Wafer

著者 (4件)： 村上直 (九州工業大学 大学院情報工学研究院) ,  大森龍之介 (九州工業大学 大学院情報工学研究院) ,  清水正義 (九州工業大学 大学院情報工学研究院) ,  伊藤高廣 (九州工業大学 大学院情報工学研究院)
資料名： 電気学会論文誌 E  (IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines)
巻： 134  号： 8  ページ： 258-263 (J-STAGE)  発行年： 2014年 
JST資料番号： L3098A  ISSN： 1341-8939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文では,マイクロピラミッド形状の表面構造のアレイを,直径4インチの単結晶シリコン(SCS)ウエハの片面の全面に,結晶異方性ウエットエッチングを利用して作製することを試み,その微細構造の加工形状の均一性を向上させるためのエッチング方法を探索した。基板サイズが大型化した場合にも,エッチングに必要な液量の増加が小さな水平状態でウエハのウエットエッチングを実施した。まず,エッチング液中でウエハの加工面を下側ではなく上側にすることで,その加工形状の面内均一性を改善した。さらにエッチング液の温度の安定性を高めることで,その加工均一性をより向上させられることを示した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  *エッチング ,  *異方性 ,  湿式法 ,  表面加工 ,  微細構造 ,  *単結晶 ,  *表面性状 ,  表面構造 ,  構造
準シソーラス用語： 異方性エッチング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (17件)：

• (1) M. Shikida, K. Sato, and H. Tanaka Ed.: “Etching for Micro/Nano fabrication”, CMC Publishing, pp. 4-6 (2009) (in Japanese)
• 式田光宏・佐藤一雄・田中 浩 監修:「マイクロナノデバイスのエッチング技術」, シーエムシー出版, 第1章 ウェットエッチングの基礎, pp. 4-6 (2009)
• (2) O. Tabata, R. Asahi, H. Funabashi, K. Shimaoka, and S. Sugiyama : “Anisotropic etching of silicon in TMAH solutions”, Sens. Actuators A, Vol. 34, pp. 51-57 (1992)
• (3) M. Shikida, K. Sato, K. Tokoro, and D. Uchikawa : “Differences in anisotropic etching properties of KOH and TMAH solutions”, Sens. Actuators A, Vol. 93, pp. 179-188 (2000)
• (4) K. B. Sundaram, A. Vijayakumar, and G. Subramanian : “Smooth etching of silicon using TMAH and isopropylalcohol for MEMS applications”, Microelectronic Engineering, Vol. 77, pp. 230-241 (2005)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコンウエハ ,  結晶 ,  異方性 ,  ウェットエッチング ,  加工形状 ,  均一性