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J-GLOBAL ID:201402287616864636   整理番号:14A0897617

ミニマル集光型加熱炉

著者 (5件):
資料名:
巻: 24  号:ページ: 68-70  発行年: 2014年08月10日 
JST資料番号: L1138A  ISSN: 0917-1819  CODEN: KTEKER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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半導体の製造工程では様々な熱処理があり,バッチ式の抵抗加熱炉が主流である。これに対して,ミニマルファブで用いるウエハの口径は12.5mmであり,ランプのスポット系よりも小さいため,反射鏡でウエハに熱エネルギーを集中させる集光加熱方式を用いることにより,1つのランプで効率よく加熱できる。この方式では,ウエハ周辺だけを局所的に加熱するため,迅速な昇降温が可能であり,また,加熱チャンバの小型化が容易である。この点に着目して,集光加熱方式を用いた加熱炉を開発することにした。この加熱炉の構造と利点,開発課題と対策について述べた。
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
タイトルに関連する用語 (1件):
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