抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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半導体の製造工程では様々な熱処理があり,バッチ式の抵抗加熱炉が主流である。これに対して,ミニマルファブで用いるウエハの口径は12.5mmであり,ランプのスポット系よりも小さいため,反射鏡でウエハに熱エネルギーを集中させる集光加熱方式を用いることにより,1つのランプで効率よく加熱できる。この方式では,ウエハ周辺だけを局所的に加熱するため,迅速な昇降温が可能であり,また,加熱チャンバの小型化が容易である。この点に着目して,集光加熱方式を用いた加熱炉を開発することにした。この加熱炉の構造と利点,開発課題と対策について述べた。