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J-GLOBAL ID：201402287873077998   整理番号：14A0381554

Mgイオン電池のためのナノ構造化Biへの高度に可逆的なMg挿入

Highly Reversible Mg Insertion in Nanostructured Bi for Mg Ion Batteries

著者 (12件)： SHAO Yuyan (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA) ,  GU Meng (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA) ,  LI Xiaolin (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA) ,  NIE Zimin (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA) ,  ZUO Pengjian (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA) ,  LI Guosheng (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA) ,  LIU Tianbiao (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA) ,  XIAO Jie (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA) ,  CHENG Yingwen (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA) ,  WANG Chongmin (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA) ,  ZHANG Ji-Guang (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA) ,  LIU Jun (Pacific Northwest National Lab., Washington, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 14  号： 1  ページ： 255-260  発行年： 2014年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Biナノチューブ(NT)を水熱法により合成し,Mgイオン二次電池のための高性能アノード材料に適用した。Mgイオンの最初の挿入により,Bi-NTはその場で相互に結合したナノ多孔性Biに変化し,その後の充放電サイクルにおいて優れた性能:高い可逆的比容量;350mAh/g_Bi,高いCoulomb効率~100%を示した。XRDとTEMは放電の際のMg₃Bi₂の形成とBiへの可逆的なMgの挿入/引抜きを示した。通常の電解質である0.4M Mg(TFSI)₂-ジグリム中において,前もってMg化したMg₃Bi₂アノードとMo₆S₈カソードを結合したMg電池は,Mg電解質中におけると同様の充放電および優れたサイクル安定性を示し,電極材料として通常の電解質に適用可能であることを示した。

シソーラス用語： *二次電池 ,  *電極材料 ,  ビスマス ,  ナノチューブ ,  多孔性 ,  *可逆変化 ,  *挿入 ,  *引抜 ,  *マグネシウム化合物 ,  *金属イオン ,  サイクル寿命 ,  マグネシウム含有合金 ,  ビスマス合金 ,  アノード ,  硫化モリブデン
準シソーラス用語： ナノ多孔性 ,  *マグネシウムイオン ,  マグネシウムイオン電池

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

物質索引 (2件)： ジグリム ,  ビス[ビス(トリフルオロメチルスルホニル)アミノ]マグネシウム

タイトルに関連する用語 (4件)： Mgイオン電池 ,  ナノ構造 ,  Bi ,  Mg