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J-GLOBAL ID：201402290151058604   整理番号：14A0413236

HfO₂/SiO₂/SiスタックにおけるHfO₂支援SiO₂還元

HfO₂-assisted SiO₂ reduction in HfO₂/SiO₂/Si stacks

著者 (5件)： LI Xiuyan ,  YAJIMA Takeaki ,  NISHIMURA Tomonori ,  NAGASHIO Kosuke ,  TORIUMI Akira
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 557  ページ： 272-275  発行年： 2014年04月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO₂/SiO₂/Siスタックにおける超薄膜SiO₂界面層(SiO₂-IL)は,超高真空(UHV)熱処理の際に還元されることを見出した。UHVにおける薄いSiO₂-ILの還元に加え,SiOの離脱とシリサイドの形成も生じた。熱脱離分光およびX線光電子分光測定の結果,熱処理条件を正確に制御することで,SiO₂-ILの還元は,SiOの離脱とシリサイド化を示す温度よりも低い温度で生じることがわかった。SiO₂-IL還元のメカニズムは,ゲートスタックの形成と熱処理によって生成した,HfO₂中の酸素空孔を介した酸素の拡散によって説明できた。また,シリサイド化過程は,不均一なSiOの離脱と関係していることも理解できる。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *二酸化ケイ素 ,  *ケイ素 ,  *積層構造 ,  超薄膜 ,  熱処理 ,  *超高真空 ,  X線光電子スペクトル ,  熱脱着スペクトル ,  *還元 ,  レーザ蒸着 ,  エッチング
準シソーラス用語： シリサイド化 ,  熱脱離スペクトル

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： HfO2 ,  SiO2 ,  Si ,  スタック ,  支援 ,  還元