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J-GLOBAL ID：201402290162870149   整理番号：14A0422365

III-V族化合物半導体多孔質構造の形成と機能素子への応用

著者 (3件)： 佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  熊崎祐介 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  渡部晃生 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 表面技術協会講演大会講演要旨集
巻： 129th  ページ： 295-297  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0050A  ISSN： 0917-2947  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *アノード酸化 ,  *多孔質体 ,  *III-V半導体
準シソーラス用語： *III-V族化合物半導体

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： III-V族化合物半導体 ,  多孔質構造 ,  機能素子 ,  応用