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J-GLOBAL ID：201402290373949612   整理番号：14A1476533

光誘起アノード酸化により形成した酸化ケイ素によるp型結晶シリコンの効果的な表面不動態化

Effective surface passivation of p-type crystalline silicon with silicon oxides formed by light-induced anodisation

著者 (3件)： CUI Jie (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, The Univ. of New South Wales, Sydney 2052, AUS) ,  GRANT Nicholas (Centre for Sustainable Energy Systems, Australian National Univ., Canberra, A.C.T. 0200, AUS) ,  LENNON Alison (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, The Univ. of New South Wales, Sydney 2052, AUS)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 323  ページ： 40-44  発行年： 2014年12月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光誘起アノード酸化(LIA)SiO₂によるp型結晶シリコンの電子表面不動態化を研究した。酸素及びその後のフォーミングガスにおける30分のアニーリングの後,p型表面における有効キャリア寿命は,150μsまで二桁増大した。容量電圧測定は,非常に低い電荷密度及び適切な界面状態密度を示した。シリコン表面再結合速度は,他のアノード酸化SiO₂膜と同程度であり,化学蒸着により成長させた酸化物よりかなり低かった。加えて,非常に低い漏れ電流密度が,LIA SiO₂で観測された。これは,太陽電池における絶縁層及び劣化に対する障壁としての可能性を示唆した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *ケイ素 ,  P型半導体 ,  *二酸化ケイ素 ,  *不動態化 ,  *誘導 ,  *焼なまし ,  酸素 ,  混合気体 ,  *キャリア寿命 ,  容量電圧特性 ,  *電荷分布 ,  状態密度 ,  電流密度 ,  *アノード酸化 ,  光電気化学反応 ,  *漏れ電流 ,  MIS構造
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池 ,  フォーミングガス ,  界面状態密度 ,  結晶シリコン

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  化成処理  (WC08050J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光誘起 ,  アノード酸化 ,  酸化ケイ素 ,  結晶シリコン ,  表面不動態化