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J-GLOBAL ID：201402291087611112   整理番号：14A1272740

終端元素制御によるポリダイヤ電界効果トランジスタセンサの水素イオン感度制御

Hydrogen ion sensitivity of termination-controlled polycrystalline diamond field effect transistor sensor

著者 (5件)： 新谷幸弘 (横河電機) ,  新谷幸弘 (早稲田大 理工) ,  小河晃太朗 (横河電機) ,  猿谷敏之 (横河電機) ,  川原田洋 (早稲田大 理工)
資料名： Chemical Sensors  (Chemical Sensors)
巻： 30  号： Supplement B  ページ： 64-66  発行年： 2014年09月27日 
JST資料番号： L3948A  CODEN： KAGSEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ガラス破損リスクや不十分な耐圧性/耐温性が問題視されている。我々は近年,水素終端半導体ダイヤモンド表面を接液させて電界効果トランジスタ(FET)センサとして機能化させ,そのFET-IV特性によりpH値を求める電解質溶液ゲート電界効果トランジスタ(SGFET)型pHセンサを提案一検討し,ダイヤモンド終端制御(部分酸素終端,部分アミノ終端など)によるFET-IVのpH感応性を報告してきた。本研究では,更なる安定性向上とイオン感応性の制御を目指して,多結晶ボロンドープダイヤモンド(BDD)SGFETセンサを提案し,終端元素制御によるpH感応特性変化を検討した。以上の結果より,多結晶ボロンドープダイヤモンドFETセンサは酸素終端化処理によりpH感度を鋭感応化することができ,他方,フッ素終端化処理では条件等によりpH感度を鋭感応化/鈍感応化することができることが示された。今後,鋭感応化条件/鈍感応化条件を精査することで,差分が大きな鋭感応FETと鈍感応FETの組み合わせによる差動型pHセンサを検討する。

シソーラス用語： 成端 ,  元素 ,  制御 ,  *FET【トランジスタ】 ,  センサ ,  半導体素子 ,  *陽子 ,  感度 ,  水素 ,  末端基 ,  ダイヤモンド ,  電解質溶液 ,  *感受性 ,  イオンセンサ ,  水素終端 ,  半導体センサ ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： イオン感応性電界効果トランジスター ,  感応性 ,  終端 ,  *水素イオン ,  *電界効果トランジスタ

分類 (3件)： 計測機器一般  (AD02000X) ,  化学プロセスの測定,監視,計装  (XC02030Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (3件)：

• H. Kawarada et al, Phys. Status Solidi a, 185, 79 (2001).
• Y. Sasaki, H. Kawarada et al, Jornal of Physics D, 37, 374020-1~374020-8. (2010)
• Y. Shintani, H. Kawarada et al, Proc. of ICDCM 2012 (2012).

タイトルに関連する用語 (6件)： 終端 ,  元素 ,  ダイヤ ,  電界効果トランジスタ ,  水素イオン ,  感度