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J-GLOBAL ID：201402291274762159   整理番号：14A0701394

22nm 3ゲートCMOS技術の1Gb 2GHz埋込みDRAM

A 1Gb 2GHz Embedded DRAM in 22nm Tri-Gate CMOS Technology

著者 (12件)： HAMZAOGLU Fatih (Intel, OR) ,  ARSLAN Umut (Intel, OR) ,  BISNIK Nabhendra (Intel, OR) ,  GHOSH Swaroop (Intel, OR) ,  LAL Manoj B. (Intel, OR) ,  LINDERT Nick (Intel, OR) ,  METERELLIYOZ Mesut (Intel, OR) ,  OSBORNE Randy B. (Intel, OR) ,  PARK Joodong (Intel, OR) ,  TOMISHIMA Shigeki (Intel, OR) ,  WANG Yih (Intel, OR) ,  ZHANG Kevin (Intel, OR)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2014  ページ： 230-231,231(1)  発行年： 2014年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *半導体集積回路 ,  *DRAM ,  *埋込み【挿入】 ,  超LSI ,  帯域幅 ,  ゲート【半導体】 ,  消費電力 ,  トランジスタ ,  モジュール ,  演算プロセッサ ,  *電圧制御 ,  CMOS
準シソーラス用語： VLSI設計 ,  サブアレイ ,  低電力 ,  埋込みDRAM

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲート ,  CMOS技術 ,  埋込みDRAM