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J-GLOBAL ID：201402292530514954   整理番号：14A0083881

化学気相蒸着により成長した単層MoS₂薄膜の電荷動力学と電子構造

Charge Dynamics and Electronic Structures of Monolayer MoS₂ Films Grown by Chemical Vapor Deposition

著者 (4件)： SHEN Chih-Chiang (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN) ,  HSU Yu-Te (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LI Lain-Jong (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LIU Hsiang-Lin (National Taiwan Normal Univ., Taipei, TWN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 6  号： 12  ページ： 125801.1-125801.4  発行年： 2013年12月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： THz吸収と分光エリプソメトリを用いて,化学気相蒸着MoS₂の単層膜の電荷動力学と電子構造を調べた。THz導電率は,ゼロ周波数での遍歴電荷キャリアのコヒーレント応答を示す。Drudeプラズマ周波数(約7THz)は温度の低下と共に減少するが,一方キャリア緩和時間(~26fs)は,ほとんど温度に依存しない。単層の二硫化モリブデンの吸収スペクトルは,1.95eVの直接バンドギャップと約0.2eVのバルク対応物のものより高い電荷移動励起を示している。基底状態の励起子結合エネルギーは約0.48eVであることを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *硫化モリブデン ,  *単一層 ,  *電子構造 ,  *電荷移動 ,  動力学 ,  電磁波 ,  分光分析 ,  偏光解析法 ,  蒸着膜 ,  *電磁波吸収 ,  *電気伝導率 ,  周波数 ,  緩和時間 ,  吸収スペクトル ,  *励起子 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  光透過 ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： THz導電率 ,  交流伝導率 ,  Drudeプラズマ周波数 ,  キャリア緩和時間 ,  テラヘルツ吸収スペクトル

分類 (3件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  その他の光物性  (BM08110J) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 化学 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  単層 ,  MoS2 ,  薄膜 ,  電荷動力学 ,  電子構造