文献

J-GLOBAL ID：201402292778994936   整理番号：14A0272537

室温下のCdとTi単原子接触の生成とコンダクタンス

Formation and Conductance of Cd and Ti Single-Atom Contacts at Room Temperature

著者 (4件)： HORIUCHI Toshiki (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., JPN) ,  TAKAHASHI Atsushii (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., JPN) ,  KUROKAWA Shu (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., JPN) ,  SAKAI Akira (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., JPN)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 12  ページ： 1-5 (J-STAGE)  発行年： 2014年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 幾つかのHCP(六方小最密充填構造)金属の破断接合は,4K下では,単原子接触(SAC)をしばしば生成するが,室温(RT)下では殆ど生成しない。本研究では,RT下で,CdとTiのSACは,接合開放によってでなく,接合完了によって生成することを示した。CdとTi共に,接合完了で測定したコンダクタンスヒストグラムは,明確なSACピークを示す一方,SACピークは,接合開放で得られたヒストグラムではわずかである。SACは,ネッキング変形により接合開放では生成する一方,接合完了では生成しないため,観察結果では,RT下の幾つかのHCP破断接合で報告された稀なSACはネッキング変形に因ることを示唆した。また,観察ヒストグラムは,CdとTiでは,これまで未知のSACコンダクタンスをCdとTiで,各0.7と0.8G₀と決定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： HCP金属 ,  くびれ ,  *原子 ,  *接触 ,  *カドミウム ,  *チタン ,  *コンダクタンス ,  ヒストグラム ,  ピーク値 ,  *室温 ,  ボンディング【IC】 ,  *単一原子
準シソーラス用語： ネッキング ,  *単原子 ,  電気的接合

分類 (3件)： 電気接点  (NA05070V) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  原子の性質  (BH02020G)

引用文献 (28件)：

• [1] N. Agraït, A. Levy Yeyati, and J. M. van Ruitenbeek, Phys. Rep. 377, 81 (2003).
• [2] R. H. M. Smit, A. I. Mares, M. Häfner, P. Pou, J. C. Cuevas, and J. M. van Ruitenbeek, New J. Phys. 11, 073043 (2009).
• [3] B. B. Lewis, K. G. Vandervoort, and R. D. Foster, Solid State Commun. 109, 525 (1999).
• [4] E. Scheer, P. Konrad, C. Bacca, A. Mayer-Gindner, H. V. Löhneysen, M. Häfner, and J. C. Cuevas, Phys. Rev. B 74, 205430 (2006).
• [5] R. Suzuki, Y. Mukai, M. Tsutsui, S. Kurokawa, and A. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 7217 (2006).

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  Cd ,  Ti ,  単原子 ,  コンダクタンス