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J-GLOBAL ID：201402293214346515   整理番号：14A0182700

25周年記念論文 高移動度有機FETのキーポイント

25th Anniversary Article: Key Points for High-Mobility Organic Field-Effect Transistors

著者 (9件)： DONG Huanli (Inst. Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  DONG Huanli (Capital Normal Univ., Beijing, CHN) ,  FU Xiaolong (Inst. Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  FU Xiaolong (Univ. Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Jie (Inst. Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Jie (Univ. Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Zongrui (Inst. Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Zongrui (Univ. Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  HU Wenping (Inst. Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 25  号： 43  ページ： 6158-6182  発行年： 2013年11月20日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機FET(OFET)における高移動度の達成のための技術について総説した。(1)分子設計の見地から,理論計算に基づく大きい移動積分および小さい再配列エネルギーをもつ化合物,高移動度有機半導体のための分子構造,分子配向,エネルギー準位を満たす分子設計原理,高移動度の共役結合小分子の探索例としてのポリアセン,高移動度の共役結合高分子の設計原理を解説した。(2)高移動度OFETの作製技術について,分子秩序,配向の制御,分子多形,結晶格子の制御について述べた。(3)界面制御について,電極/半導体界面における電荷注入および電荷輸送の増強,絶縁体/半導体界面の電荷輸送および安定性を説明した。(4)その他の要因として不純物,外部条件について述べた。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  キャリア移動度 ,  *移動度 ,  *分子設計 ,  分子構造 ,  エネルギー準位 ,  分子配向 ,  高分子 ,  ポリアセン ,  配向秩序 ,  多形 ,  結晶格子 ,  制御 ,  電極 ,  半導体 ,  界面 ,  キャリア注入 ,  絶縁材料 ,  安定性 ,  不純物 ,  環境 ,  絶縁体 ,  π共役高分子 ,  固固界面 ,  *高移動度 ,  電荷輸送
準シソーラス用語： 界面制御 ,  電荷注入 ,  *有機FET

分類 (5件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C) ,  複素環化合物一般  (CF07010Z) ,  有機化合物の結晶構造一般  (BK08001A) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 論文 ,  高移動度 ,  有機FET