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J-GLOBAL ID:201402293714537376   整理番号:14A0045500

高速集積化オプトエレクトロニクスのためのCMOS互換シリコンフォトニックプラットフォーム

A CMOS-compatible silicon photonic platform for high-speed integrated opto-electronics
著者 (18件):
資料名:
巻: 8767  ページ: 87670G.1-87670G.8  発行年: 2013年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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計算能力の指数関数的スケーリングの継続によって,超並列アークテクチャの開発が必要となる。光相互接続は,これを可能にする技術として一般に認識されている。p-i-n及び光伝導(MIM)Ge-on-Si検出器,p-i-nリング及びMach-Zehnder変調器,そして,RF伝送ラインによって駆動されるp-n接合に基づく進行波変調器等の能動部品を特徴とするCMOS互換シリコンオンインシュレータフォトニックプラットフォームを開発した。自動化クロスウェハテストを通じて,歩留りと性能の均一性を特性化し,このプロセスが高信頼性で拡張性があることを実証した。全体のプラットフォームは,40GB/sデータ転送速度が可能である。シンガポールのIME/A-STARファウンドリで製造されたものが,OpSISを通して世界中の共同体で入手可能である。これは,Delaware大学に基づく多プロジェクトウエハサービスの成功の結果である。最先端のプラットフォーム構成品の設計,製造,および性能を明らかにした後,最初の公開実行後に得られた最新の結果を示す。これらは低損失パッシブ(Y接合:0.28dB;導波路交差:0.18dB,そして,クロストーク:-41±2dB;不均一格子カプラー:3.2±0.2dB)が含まれる。これらの全ての部品を完全な8”ウエハー全体でテストし,顕著な均一性を示した。能動デバイスは,以前の設計キットから改善され,30GHz(変調器)から58GHz(検出器)の範囲の3dB帯域幅を示した。OpSISユーザーが利用できる新しいパッケージサービスを提供する。それは垂直ファイバ結合およびエッジ結合である。
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分類 (1件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
光集積回路,集積光学 
タイトルに関連する用語 (3件):
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