文献

J-GLOBAL ID：201402293722782606   整理番号：14A0334858

PtPr_0.67Ca_0.33MnO₃Ptヘテロ構造における交差面ポーラロン輸送と抵抗スイッチングの相互作用

Interplay of cross-plane polaronic transport and resistive switching in Pt-Pr_0.67Ca_0.33MnO₃-Pt heterostructures

著者 (5件)： SCHERFF M (Univ. Goettingen, Goettingen, DEU) ,  HOFFMANN J (Univ. Goettingen, Goettingen, DEU) ,  MEYER B (Univ. Goettingen, Goettingen, DEU) ,  DANZ Th (Univ. Goettingen, Goettingen, DEU) ,  JOOSS Ch (Univ. Goettingen, Goettingen, DEU)
資料名： New Journal of Physics (Web)  (New Journal of Physics (Web))
巻： 15  号： Oct  ページ： 103008 (WEB ONLY)  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： U7017A  ISSN： 1367-2630  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物サンドイッチ構造の異なる抵抗状態の交差面電気輸送機構の同定は抵抗スイッチング(RS)の機構の洞察を得るために重要である。本稿では,貴金属Pt電極によりサンドイッチされたPr_0.67Ca_0.33MnO₃(PCMO)薄膜の交差面電気輸送性質の系統的研究を提出した。3つの異なる輸送方式:Ohm,非線形およびRSを観測した。非線形方式は巨大な磁気抵抗(CMR)と巨大な電気抵抗(CER)効果と関係した。RSとは対照的に,CMRとCERは揮発性抵抗効果であり,強磁場または電場の印加中にのみ存在し,また低温に制限された。低電流密度では,素子の抵抗PCMO膜の小ポーラロンホッピング輸送により支配された。スイッチング閾値近くの高電流密度では,界面抵抗が支配的になり,また熱活性化輸送性質を顕著に示した。これらの結果は低温における巨大な抵抗効果とRSの相互作用のみならず,CMRとCERによるPCMO抵抗の誘導のみによりRSが発生することを示した。これは不揮発性抵抗変化の大きさにおける制御のための電流密度の重要な役割を明確に実証した。逆に,CMRは無秩序と相関の粋変化のためのプローブとして使用できた。小スイッチングでは,界面におけるポーラロン活性化エネルギーのわずかな変化を観測した。これはPCMO膜内の大きな領域の電子または格子構造の持続的変化を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電気抵抗 ,  *スイッチング ,  *ポーラロン ,  *エレクトロトランスポート ,  ヘテロ接合 ,  白金化合物 ,  プラセオジム化合物 ,  カルシウム化合物 ,  酸化マンガン ,  サンドイッチ構造 ,  磁気抵抗 ,  強磁場 ,  電場効果 ,  *不揮発性メモリ
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング

分類 (3件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： ヘテロ構造 ,  交差 ,  ポーラロン ,  輸送 ,  抵抗スイッチング ,  相互作用