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J-GLOBAL ID：201402293815658662   整理番号：14A0211341

GaNナノワイヤの成長と顕微Ramanキャラクタリゼーション

The Growth and Micro-Raman Characterization of GaN Nanowires

著者 (7件)： KAMYCZEK P. (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL) ,  ZYTKIEWICZ Z. R. (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  PLACZEK-POPKO E. (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL) ,  ZIELONY E. (Wroclaw Univ. Technol., Wroclaw, POL) ,  SOBANSKA M. (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  KLOSEK K. (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  RESZKA A. (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
資料名： Sensor Letters  (Sensor Letters)
巻： 11  号： 8  ページ： 1555-1559  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： W2392A  ISSN： 1546-198X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 顕微Raman分光を用いてプラズマMBEエピタクシーでSi(111)基板上に成長させたGaNナノワイヤ中の歪を調べた。成長の段階は基板の脱酸素,窒素気流への曝露と窒素リッチ条件下でのナノワイヤ(NW)の自己組織化成長から成る。以後A,Bと表記する二種類のナノワイヤが異なるGa蒸発源温度(T_Ga≒820°CとT_Ga≒800°C)で生じた。試料Aの高分解能走査電子顕微鏡像がNWは部分的に融合していることを示すのに対して,試料BではNWはばらばらであった。RamanスペクトルがSi関連の521cm^-1前後の信号と568cm^-1前後のE₂(高)GaNモードを見せた。試料の温度はSiフォノンモードのStokes/反Stokes強度比とE₂(高)関連信号から推定した。レーザ出力を増した際の両方の試料でE₂(高)モードの小さな赤方偏移を観測したが,その成因はレーザ照射による局所加熱である。融合したNWではわずかな歪を観測したのに対して,ばらばらのNW集合には歪は無かった。

シソーラス用語： *顕微Raman分光法 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  MBE成長 ,  *歪 ,  走査電子顕微鏡 ,  融合 ,  Stokesシフト ,  赤方偏移 ,  Ramanスペクトル ,  フォノン
準シソーラス用語： プラズマMBE成長

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  ナノワイヤ ,  成長 ,  キャラクタリゼーション