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J-GLOBAL ID：201402294532306910   整理番号：14A1100826

InGaAs量子井戸から量子ドットへのトンネル効果によるスピン注入ダイナミクス;トンネル障壁厚さ依存性

著者 (7件)： 山村隆文 (北大 大学院) ,  YANG Xiaojie (北大 大学院) ,  木場隆之 (北大 大学院) ,  高山純一 (北大 大学院) ,  SUBAGYO Agus (北大 大学院) ,  末岡和久 (北大 大学院) ,  村山明宏 (北大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.19P-S2-14  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子井戸 ,  *量子ドット ,  *トンネル効果 ,  *スピン分極 ,  *ポテンシャル障壁 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  厚み依存性
準シソーラス用語： *スピン注入 ,  *トンネル障壁 ,  厚さ依存性

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  磁性一般  (BM06010M)

タイトルに関連する用語 (8件)： InGaAs ,  量子井戸 ,  量子ドット ,  トンネル効果 ,  スピン注入 ,  ダイナミクス ,  トンネル障壁 ,  厚さ依存性