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J-GLOBAL ID:201402294609924174   整理番号:14A0109902

マグネシウム犠牲陽極のミクロ組織と電気化学特性に及ぼすガリウムとインジウムの影響

Influence of Ga and In on microstructure and electrochemical properties of Mg anodes
著者 (3件):
資料名:
巻: 23  号:ページ: 2650-2656  発行年: 2013年 
JST資料番号: W0396A  ISSN: 1003-6326  CODEN: TNMCEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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マグネシウム犠牲陽極材料の電気化学特性に及ぼすガリウムとインジウムの影響を分極及び定電流曲線試験で研究した。走査電子顕微鏡(SEM)でMg-In-Ga合金のミクロ組織と腐食面を観察した。Mg-0.8%In(質量分率)及びMg-0.8%Ga-0.3%In合金の腐食生成物をX線回折法で分析した。試験結果から,Mg-xIn(x=0~0.8%)合金中には第二相が全く存在しないことがわかった。Mg-0.8%In-xGa合金(x=0~0.8%)では,ガリウム及びインジウム元素を含有する粒界金属間化合物が発生した。Mg-In合金中への0.05%~0.5%のガリウム添加と同様にマグネシウム中へのインジウム添加は耐食性を向上させた。また,Mg-In合金中へのガリウム添加は電気化学的活性も向上させた。Mg-0.8%In-0.8%Ga合金には,最も負の平均電位があり,-1.682Vであった。それはAZ91Dの-1.406Vと比べてより負であった。Mg-In-Ga合金の腐食タイプは全面腐食であり,腐食生成物はMg(OH)_2であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST
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