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J-GLOBAL ID：201402295008068340   整理番号：14A0791663

Ga置換CuFeO₂における有効ランダム磁場ドメイン状態

Effective random-fied domain-state in Ga-substituted CuFeO₂

著者 (5件)： NAKAJIMA T. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo) ,  MITSUDA S. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo) ,  YAMANO M. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo) ,  YAMAZAKI H. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo) ,  KURIBARA K. (Tokyo Univ. Sci., Tokyo)
資料名： 日本原子力研究開発機構JAEA-Review(Web)
号： 2013-039  ページ： 1-2-38 (WEB ONLY)  発行年： 2014年02月 
JST資料番号： U0296A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 前の研究おいて,我々は,CuFe_1-xAl_xO₂(x>0.10)は,局所磁気構造が正弦波的振幅変調不整合構造の有効ランダム磁場ドメイン状態を示すこと,及びAl濃度の増加と共に,散乱関数S(q)が広がることが分かった。これは,磁気相関長さがAl置換によって縮小されることを示している。しかし,CuFe_1-xGa_xO₂に関する最近の研究は,Fe³⁺及びAl³⁺のイオンの半径の間の差により,Al置換が磁気空孔だけでなく,局所的格子ひずみも生み出すことを指摘している。この局所ひずみが長距離磁気秩序化を妨害するが,これは,有効ランダム磁場効果と区別されるべきである。この研究では,有効ランダム磁場効果を純粋に調査するために,局所的格子ひずみが比較的小さいGa置換CuFeO₂サンプル;CuFe_1-xGa_xO₂(x=0.20及び0.30)について,JRR-3に設置された3軸中性子分光計HQR(T1-1)を用いて,中性子回折測定を行った。両サンプルについて,S(q)は,Lorentz項とLorenttz二乗項の和で良く記述される。

シソーラス用語： 磁場 ,  *磁気構造 ,  イオン半径 ,  金属イオン ,  *鉄化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  格子歪 ,  *ガリウム化合物 ,  酸化物 ,  銅化合物 ,  磁区 ,  中性子回折 ,  *散乱関数
準シソーラス用語： ランダム磁場 ,  鉄イオン ,  アルミニウムイオン

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

引用文献 (4件)：

• D. Belanger et al.: PRB 31 4538 (1985).
• J. van Duijn et al.: PRL 92 077202 (2004).
• T. Nakajima et al.:JPCM 19 145216 (2007).
• N. Terada et al.: PRB 78 014101 (2008) .

タイトルに関連する用語 (4件)： Ga ,  置換 ,  ランダム磁場 ,  ドメイン