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J-GLOBAL ID：201402295749516137   整理番号：14A0706487

ZnO薄膜の分極の決定に対するζ電位測定

Zeta potential measurements for determining polarization of ZnO films

著者 (8件)： FURUBAYASHI Yutaka (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  HAYASHI Taisuke (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  MORITO Shigekazu (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  HIRAGINO Yuto (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  YEH Wenchang (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KAJIKAWA Yasutomo (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  HASHIMOTO Hideki (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  FUJITA Yasuhisa (Shimane Univ., Matsue, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 5S1  ページ： 05FE01.1-05FE01.5  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,酸化亜鉛(ZnO)の分極を推定するため,ζ電位測定を行い,ZnO{0001}ウエハに対するζ電位の符号および時間依存性は,H⁺またはOH^-対イオンの蓄積および化学吸着に起因して,その極性に依存することを見出した。ζ電位測定によって,Al₂O₃(11-20)および(0001)両基板上のZnO薄膜の-c極性を確認した。X線回折(XRD)および反射高速電子回折(RHEED)は,ζ電位測定が,薄膜構造および表面形態を有意に劣化させることはないことを示した。これらの結果は,伝統的な物理的方法と比べて,比較的低コストで,より理解しやすいプロフィルでの極性の非破壊的決定が可能になることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  *半導体薄膜 ,  誘電分極 ,  *ζ電位 ,  MOCVD ,  基板 ,  アルミナ ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  RHEED ,  収束電子回折 ,  結晶方位 ,  ウエハ【IC】 ,  対イオン ,  化学吸着 ,  極性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体測定技術・装置  (BM05020Q)

引用文献 (26件)：

• K. Koike, K. Hama, I. Nakashima, G. Takada, M. Ozaki, K. Ogata, S. Sasa, M. Inoue, and M. Yano, Jpn. J. Appl. Phys. 43, L1372 (2004).
• H. Tampo, K. Matsubara, A. Yamada, H. Shibata, P. Fons, M. Yamagata, H. Kanie, and S. Niki, J. Cryst. Growth 301–302, 358 (2007).
• J. Falson, D. Maryenko, Y. Kozuka, A. Tsukazaki, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Express 4, 091101 (2011).
• A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Kita, Y. Ohno, H. Ohno, and M. Kawasaki, Science 315, 1388 (2007).
• A. Tsukazaki, S. Akasaka, K. Nakahara, Y. Ohno, H. Ohno, D. Maryenko, A. Ohtomo, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 9, 889 (2010).

タイトルに関連する用語 (3件)： ZnO薄膜 ,  分極 ,  電位測定