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J-GLOBAL ID:201402295827165710   整理番号:14A0152859

人工一次元π電子系の形成とその物性の制御

著者 (2件):
資料名:
号: 27  ページ: 159-169  発行年: 2013年12月 
JST資料番号: L5491A  ISSN: 0919-3383  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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人工一次元構造の電子物性を制御するために,人工構造の形成とその物性について検討した。単結晶の傾斜面をテンプレートとして利用し,炭化水素分子を吸着し,これを加熱し脱水素化することで,グラフェンナノリボンを形成した。この構造をSTM,UPS,ARPES法で評価した。1.5度傾斜のSi(111)基板を利用し,表面にプロピレンを吸着させ,グラフェン膜を形成した場合,比較的均一なリボン状構造が形成されることが分かった。形成された構造がグラフェンであるかどうかラマン分光法やXPS法で評価している。
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分類 (3件):
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電子物性一般  ,  原子・分子のクラスタ  ,  炭素とその化合物 
物質索引 (1件):
物質索引
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引用文献 (4件):
  • S. Shiraki, H. Fujisawa, M. Nantoh and M. Kawai, Phys. Rev. Lett. 92 (2004) 096102. H. Fujisawa, S. Shiraki, M. Furukawa, S. Itoh, T. Nakamura, T. Muro, M. Nantoh and M. Kawai, Phys. Rev. B75 (2007) 245423. S. Shiraki, H. Fujisawa, T. Nakamura, T. Muro, M. Nantoh and M. Kawai, Phys. Rev. B78 (2008) 115428.
  • 若林克法、草部浩一、日本物理学会誌 Vol.63(2008)344.Fujita et. al., J. Phys. Soc. Jpn. 65(1996)1920.Nakada et. aL, Phys. Rev. B54 (1996)17954.
  • T. Aizawa et al., Phys. Rev. Lett. 64 (1990) 803. A. Nagashima et al., Phys. Rev. Lett. 75 (1995) 3918. C. Oshima et al., J. Phys. Condens. Matter 9 (1997) 1. H. Yanagisawa et al., Phys. Rev. Lett. 93 (2004) 177003.
  • Khomyakov et. al., Phys. Rev. B79 (2009) 195425.
タイトルに関連する用語 (3件):
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