炭素注入した4H-SiC p-i-nダイオードの開回路電圧減衰特性

TANAKA Atsushi; NAKAYAMA Koji; ASANO Katsunori; MIYAZAWA Tetsuya; TSUCHIDA Hidekazu

文献

J-GLOBAL ID：201402296034569337 整理番号：14A0575678

炭素注入した4H-SiC p-i-nダイオードの開回路電圧減衰特性

Open circuit voltage decay characteristics of 4H-SiC p-i-n diode with carbon implantation

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著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 53 号： 4S ページ： 04EP08.1-04EP08.4 発行年： 2014年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

炭素注入プロセスにより作製した4H-SiC p-i-nダイオードの開回路電圧減衰(OCVD)特性を研究した。作製素子におけるバルクキャリア寿命を,OCVD測定を用いて推定できた。炭素注入で作製したダイオードの高注入レベル(T_HL)におけるキャリア寿命は10.5μsで,標準プロセス(1.3μs)で作製したダイオードのそれと較べて極端に長かった。(翻訳著者抄録)

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ダイオード , 半導体薄膜 , 固体デバイス計測・試験・信頼性

引用文献 (28件)：

Y. Sugawara, K. Asano, R. Singh, and J. W. Palmour, Proc. Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials, 1999, p. 170.
L. Cheng, A. K. Agarwal, M. O'Loughlin, C. Capell, K. Lam, C. Jonas, J. Richmond, A. Burk, J. W. Palmour, A. A. Ogunniyi, H. K. O'Brien, and C. J. Scozzie, Mater. Sci. Forum 740-742, 895 (2013).
Y. Sugawara, D. Takayama, K. Asano, A. Agarwal, S. Ryu, J. Palmour, and S. Ogata, Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 2004, p. 365.
L. Cheng, A. K. Agarwal, C. Capell, M. O'Loughlin, K. Lam, J. Zhang, J. Richmond, A. Burk, J. W. Palmour, A. A. Ogunniyi, H. K. O'Brien, and C. J. Scozzie, Mater. Sci. Forum 740-742, 978 (2013).
M. K. Das, Q. J. Zhang, R. Callanan, C. Capell, J. Clayton, M. Donofrio, S. K. Haney, F. Husna, C. Jonas, J. Richmond, and J. J. Sumakeris, Mater. Sci. Forum 600-603, 1183 (2009).

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