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J-GLOBAL ID：201402297043271401   整理番号：14A0219661

Ge/Si(001)自己組織化量子ドットのMnドーピング中のシリサイドの形成

Silicide formation during Mn doping of Ge/Si(001) self-assembled quantum dots

著者 (5件)： KASSIM J. (Univ. Virginia, Virginia) ,  NOLPH Christopher A. (Univ. Virginia, Virginia) ,  JAMET Matthieu (Univ. Joseph Fourier, Grenoble, FRA) ,  REINKE Petra (Univ. Virginia, Virginia) ,  FLORO Jerrold A. (Univ. Virginia, Virginia)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 28  号： 23  ページ： 3210-3217  発行年： 2013年12月14日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MnをドープしたGeは希薄磁性半導体として期待されている。ヘテロエピタキシャルGe量子ドットをSi(001)基板上に組成Ge_0.9Mn_0.1となるような二元マグネトロンスパッタMBEによって作製した。自己組織化Ge量子ドットの形成とともに,Geドットに繋がった多くのナノロッドおよびナノクラスターが観察され,この部分の組成および結晶構造を解析した。このナノ構造にはB20構造MnSiとNowotnyチムニーラダーMnSi_2-x相が認められ,Geは多くても30%以下である。Ge量子ロッドにはほとんどMnは含まれていない。成長温度450°CではMnの表面拡散長さは800nm程度と移動度は大きく,Si基板中へ侵入する。これらの相組成と磁気遷移温度との関係を議論した。

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  ケイ素 ,  自己組織化 ,  *量子ドット ,  マンガン化合物 ,  *ケイ化物 ,  ドーピング ,  ヘテロエピタクシー ,  ウエハ【IC】 ,  マグネトロンスパッタリング ,  MBE成長 ,  ナノロッド ,  ナノクラスタ ,  結晶構造 ,  相組成 ,  磁気転移 ,  転移温度 ,  金属間化合物 ,  化合物半導体 ,  フラックス【流束】
準シソーラス用語： ケイ化マンガン ,  シリコン基板

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ge ,  Si ,  自己組織化 ,  量子ドット ,  Mn ,  ドーピング ,  シリサイド