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J-GLOBAL ID：201402298365033413   整理番号：14A1018303

空気および水蒸気富裕両方の環境での1200°Cにおける炭化ケイ素の酸化挙動

Oxidation behavior of silicon carbide at 1200°C in both air and water-vapor-rich environments

著者 (5件)： PARK Dong Jun ,  JUNG Yang Il ,  KIM Hyun Gil ,  PARK Jeong Yong ,  KOO Yang Hyun
資料名： Corrosion Science  (Corrosion Science)
巻： 88  ページ： 416-422  発行年： 2014年11月 
JST資料番号： B0135B  ISSN： 0010-938X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる酸化条件がSiCの初期段階酸化挙動に及ぼす効果を調べるために,空気および水蒸気富裕両方の環境でのSiCの酸化を1200°Cで実施した。酸化環境に依存して不動態あるいは活性化の二つの異なるSiC酸化挙動が見出された。全てのサンプルは酸化環境に関わらず非晶質酸化物層を持った。三つのSi酸化状態(SiO,Si₂O₃,およびSiO₂)をこの層中に観察した。非晶質Si₂O₃状態が主で,三つの異なる状態の比率は試験条件によって変化した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *高温酸化 ,  空気 ,  湿り空気 ,  酸化物 ,  酸化ケイ素

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水蒸気 ,  環境 ,  炭化ケイ素 ,  酸化挙動