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J-GLOBAL ID：201402298420119373   整理番号：14A0055564

放射光光電子分光によるMOSFETゲートスタック構造の界面電子状態解析

著者 (1件)： 豊田智史 (京大 大学院工学研究科)
資料名： 水曜会誌  (Transactions of the Mining and Metallurgical Association)
巻： 24  号： 6  ページ： 722-726  発行年： 2013年10月31日 
JST資料番号： F0313A  ISSN： 0371-408X  CODEN： SUIYAA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 実際のプロセスで使われうるTiN/hjgh-kゲートスタック構造界面に着目し,角度分解光電子分光による深さ方向解析手法の開発を行った。本稿では実験方法,実デバイス構造試料の解析について紹介し,最後に大型放射光施設(Spring-8)東大ビームラインBL07LSUにて立ち上げたナノ集光光電子顕微鏡の装置開発に関する研究紹介を行う。本稿で開発した解析手法はゲートスタック形成プロセスのみに限らず,多層膜材料界面の解析に対しても応用できる。また,硬X線光電子分光に適用すれば,深い領域の固体内部(バルク)の情報を調べることも可能になる。今後は,半導体用MOSFETプロセス開発へのフィードバックに留まらず,メモリ材料,太陽電池,蓄電デバイスなど応用上重要な材料界面へ視野を広げ,そこから基礎科学へ踏み込んでいけるような研究展開を模索していきたい。

シソーラス用語： *シンクロトロン放射 ,  光電子分光法 ,  *MOSFET ,  *絶縁膜 ,  界面 ,  *電子状態 ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  角度分解分光法 ,  深さプロフィル ,  放射光施設 ,  ビームライン ,  硬X線 ,  記憶装置 ,  太陽電池 ,  二次電池 ,  SPring-8 ,  窒化チタン
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  メモリ ,  光電子分光 ,  深さ方向プロフィル ,  蓄電デバイス ,  *放射光

分類 (2件)： 円形加速器  (BE02020X) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 放射光 ,  光電子分光 ,  MOSFET ,  ゲートスタック ,  界面 ,  電子状態 ,  解析