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J-GLOBAL ID：201402299147357556   整理番号：14A0477704

Cu-Niナノ多層めっき薄膜の作製とその物性評価

著者 (4件)： 坂入正敏 (北大 大学院) ,  三浦誠司 (北大 大学院) ,  大久保賢二 (北大 大学院) ,  永田晋二 (東北大 金属材料研)
資料名： 電気化学会大会講演要旨集
巻： 81st  ページ： 132  発行年： 2014年03月29日 
JST資料番号： Y0048A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *多層めっき ,  *多層膜 ,  *回分反応器 ,  めっき設備 ,  *銅めっき ,  *ニッケルめっき ,  ナノ構造 ,  表面構造 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  電子回折 ,  結晶方位 ,  元素分析 ,  Rutherford散乱分光法 ,  *ナノ多層膜 ,  構造
準シソーラス用語： EBSD ,  *バッチ式反応器 ,  *多層薄膜

分類 (5件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  電気めっき  (WC08023B) ,  電解装置  (XE02030E) ,  電極過程  (CB07040U) ,  界面化学一般  (CB12010J)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  Ni ,  多層めっき ,  薄膜 ,  作製 ,  物性評価