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J-GLOBAL ID:201402299490403520   整理番号:14A0898659

分子Diracフェルミオン・システム 理論と実験アプローチ

Molecular Dirac Fermion Systems-Theoretical and Experimental Approaches-
著者 (5件):
資料名:
巻: 83  号:ページ: 072002.1-072002.31  発行年: 2014年07月15日 
JST資料番号: G0509A  ISSN: 0031-9015  CODEN: JUPSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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ゼロ-ギャップ・コンダクターの輸送現象は,凝縮物理学の中心主題の1つである。α-(BEDT-TTF)2I3 [BEDT-TTF = bis(ethylenedithio)-tetrathiafulvalene]は二次元の複数二次元層から成る典型的ゼロ-ギャップ・コンダクターである。1.5GPa以上の高圧下でそれは,変わった輸送現象を示すゼロ-ギャップ状態に,状態転移を経る。本稿は,α-(BEDT-TTF)2I3の物理学を明確化する最近の進展を概説した。特に,電子挙動に対する磁場の効果を研究した。中間層磁気抵抗に基づいて,インデックスN = 0でのLandauレベルの証拠を得た。実験と理論の協同は,二次元の層化ゼロ-ギャップ・コンダクターにおける中間層電子輸送を探索する新しい場を開いた。さらにまた,グラフェンの場合と対照的にこれらの現象は,NMRと比熱測定によって観察された。本稿は,Dirac電子の複数分子の役割と,量子Hall効果の発見を含む若干の最近の話題を概観した。(翻訳著者抄録)
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