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J-GLOBAL ID：201402299742862256   整理番号：14A1375304

GaNデバイスを搭載した高効率で小形のLED照明用点灯回路

High-Efficiency and Small-Form-Factor Control Gear for LED Lighting Using GaN Devices

著者 (3件)： 大武寛和 (東芝ライテック 照明研究開発セ) ,  北村紀之 (東芝ライテック 照明研究開発セ) ,  高橋雄治 (東芝ライテック 照明研究開発セ)
資料名： 東芝レビュー  (Toshiba Review)
巻： 69  号： 11  ページ： 54-57  発行年： 2014年11月01日 
JST資料番号： F0360A  ISSN： 0372-0462  CODEN： TORBA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代パワー半導体材料であるSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)などのワイドバンドギャップ半導体は,電力変換器の高効率化と小形化に大きく貢献すると期待されている。なかでもGaNは,電気抵抗が小さく電子飽和速度が高いことから,高速かつ高効率のスイッチング動作が可能である。東芝ライテック(株)は,GaNデバイスをLED(発光ダイオード)照明用点灯回路に応用することで,放熱機構や受動部品を小形化したGaN点灯回路とその周辺技術を開発した。更に,これらを適用した50W形のミニクリプトン形LED電球のプロトタイプを試作し,その効果を確認した。(著者抄録)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  点灯 ,  スイッチング ,  電球 ,  HEMT ,  インダクタ ,  DC-DCコンバータ ,  *LED照明
準シソーラス用語： *GaN ,  点灯回路 ,  LED電球 ,  降圧形コンバータ

分類 (1件)： 光源,照明器具  (NB12020F)

引用文献 (1件)：

• 高田賢治 他. AlGaN/GaN HEMT パワーデバイス. 東芝レビュー. 59, 7, 2004, p.35-38.

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  高効率 ,  小形 ,  LED照明 ,  点灯回路